一種光敏三極管加工工藝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201810298755.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN108767054A 公開(kāi)（公告）日 2018-11-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN108767054A 申請(qǐng)公布日 2018-11-06
分類(lèi)號(hào) H01L31/18;H01L21/22;H01L31/036;H01L31/11 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 陸輝;趙鋁虎;張曉新;余慶;闞志國(guó);葛亞英;陳昂;任志遠(yuǎn);鄢細(xì)根;何火軍 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 華越微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海精晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 華越微電子有限公司
地址 312000 浙江省紹興市環(huán)城西路天光橋3號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種光敏三極管加工工藝，依次包括如下步驟：產(chǎn)品導(dǎo)入、場(chǎng)氧化、基區(qū)光刻、基區(qū)刻蝕、基區(qū)摻雜、發(fā)射區(qū)光刻、發(fā)射區(qū)刻蝕、氧化、注入摻雜、氧化層淀積、發(fā)射區(qū)推進(jìn)、發(fā)射區(qū)摻雜、孔光刻、孔刻蝕、金屬淀積、光刻、金屬刻蝕、固化、背面研磨、背面金屬；其特征在于：所述工藝通過(guò)調(diào)整外延片的晶向，采用P型100晶向外延片或者襯底片作為拋光片，提高光的敏感度；同時(shí)發(fā)射區(qū)推進(jìn)過(guò)程中采用小劑量注入+擴(kuò)散的工藝，來(lái)保證放大倍數(shù)的可控性又保證了發(fā)射區(qū)接觸電阻。