數(shù)字合金、數(shù)字合金中波紅外探測(cè)器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011597283.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112713209A 公開(kāi)（公告）日 2021-04-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN112713209A 申請(qǐng)公布日 2021-04-27
分類(lèi)號(hào) H01L31/0352;H01L31/0304;H01L31/109;B82Y30/00;B82Y40/00 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳意橋;張國(guó)禎;陳超;周浩 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 蘇州焜原光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京中濟(jì)緯天專(zhuān)利代理有限公司 代理人 于宏偉
地址 215211 江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)汾湖大道558號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明是針對(duì)現(xiàn)有勢(shì)壘型器件在吸收層和勢(shì)壘層存在一個(gè)較高的價(jià)帶帶階，使得空穴在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中受到價(jià)帶勢(shì)壘的阻礙，使量子效率降低的不足，提供一種數(shù)字合金AlAsSb材料及數(shù)字合金中波紅外探測(cè)器，此數(shù)字合金在一層厚度為d1的AlSb材料上，生長(zhǎng)一層厚度為d2的AlAsxSb1?x材料，形成厚度為d1+d2的AlAsySb1?y基本單元，d1+d2作為一個(gè)周期，重復(fù)生長(zhǎng)n個(gè)周期，形成數(shù)字合金DA?AlAsySb1?y，其中，y為數(shù)字合金中整體平均As組分，x為基本單元的一層中的As的組分，采用本發(fā)明提供的數(shù)字合金、數(shù)字合金中波紅外探測(cè)器使空穴移動(dòng)更加通暢，可以有效提高探測(cè)器的量子效率，并且對(duì)器件的暗電流沒(méi)有影響，使其更容易適應(yīng)于不同的吸收層。