一種新型的超晶格紅外探測(cè)器制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911361589.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111129223A 公開(kāi)（公告）日 2020-05-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN111129223A 申請(qǐng)公布日 2020-05-08
分類號(hào) H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳意橋;顏全;趙曼曼 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州焜原光電有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京中濟(jì)緯天專利代理有限公司 代理人 蘇州焜原光電有限公司
地址 215211 江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)汾湖大道558號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明針對(duì)采用現(xiàn)有技術(shù)生產(chǎn)工藝制備小尺寸的超晶格紅外探測(cè)器時(shí)完成刻蝕步驟后需要將器件從前一個(gè)真空系統(tǒng)中取出，將器件暴露在大氣中去除光刻膠，而后將器件放到下一個(gè)真空系統(tǒng)中進(jìn)行原子層刻蝕清理、原子層鈍化，使得器件暗電流較大，生產(chǎn)效率低，造成環(huán)境污染的不足，提供一種新型的超晶格紅外探測(cè)器制備方法，該方法依次包括如下步驟：光刻顯影——原子層刻蝕——等離子體刻蝕清理——原子層鈍化——腐蝕鈍化層并去掉光刻膠——露出電極孔——電極孔處生長(zhǎng)電極；原子層刻蝕、等離子體刻蝕、原子層鈍化步驟在真空度小于等于5E?8Torr的生長(zhǎng)室中完成，本發(fā)明中，省去了單獨(dú)在大氣環(huán)境中去除光刻膠的步驟，降低了暗電流，提高了器件性能和工作效率，減少了環(huán)境污染。