一種AlGaAsSb四組分材料的生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811630551.0 申請日 -
公開（公告）號 CN109755334B 公開（公告）日 2019-05-14
申請公布號 CN109755334B 申請公布日 2019-05-14
分類號 H01L31/0304(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳意橋;張國禎 申請（專利權）人 蘇州焜原光電有限公司
代理機構 昆山中際國創(chuàng)知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 蘇州焜原光電有限公司
地址 215000江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)汾湖大道558號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明屬于電子元器件制造技術領域，涉及一種AlGaAsSb四組分材料的生長方法，步驟包括將將InP襯底裝入MBE系統(tǒng)的生長室，加熱去除襯底表面殘余的氧化層，生長一層與InP襯底晶格匹配的緩沖層，在緩沖層的基礎上生長由兩層超薄材料構成的AlxGa1?xAsySb1?y頂層節(jié)單元，重復生長n個周期，即可得到組分精確控制的AlGaAsSb四組分頂層節(jié)材料。本工藝通過As/Sb或Al/Ga成對控制的方法，以雙層作為一周期使AlGaAsSb四組分材料得以組分精確地生長，有效避免了材料生長過程中As和Sb或Al和Ga之間的的競爭，并且徹底解決了不互溶隙對材料生長的限制。??