半導體材料的拋光方法、用于銻化鎵襯底拋光的拋光液

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011591853.9 申請日 -
公開（公告）號 CN112701037A 公開（公告）日 2021-04-23
申請公布號 CN112701037A 申請公布日 2021-04-23
分類號 H01L21/306;C09G1/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳意橋;錢磊;周千學 申請（專利權）人 蘇州焜原光電有限公司
代理機構 北京中濟緯天專利代理有限公司 代理人 蘇芳玉
地址 215211 江蘇省蘇州市吳江區(qū)黎里鎮(zhèn)汾湖大道558號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明是針對采用現(xiàn)有技術CMP工藝對銻化鎵等較軟的半導體材料拋光時拋光磨料、拋光液中含有的金屬離子等易附著在被拋光物的表面，使拋光物表面產生劃痕、拋光液的壽命低的不足，提供一種半導體材料的拋光方法、用于銻化鎵襯底拋光的拋光液，方法是對莫氏硬度為1.5?6的半導體材料進行拋光,第一步為粗拋光，采用含有硬磨料的拋光液對半導體材料襯底片進行機械拋光，第二步為中拋光，中拋光液包括軟拋光磨料、弱酸性氧化劑、有機酸、親水性非離子表面活性劑、去離子水；第三步為精拋光，精拋光液包括弱酸性氧化劑、有機酸和去離子水，采用本發(fā)明的拋光方法對半導體材料進行拋光，消除蝕坑、劃痕，減少凹坑，得到表面粗糙度良好的材料。