一種異質(zhì)結(jié)疊瓦太陽能電池的切片方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201810711064.0 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN110676163B | 公開(公告)日 | 2022-02-08 |
| 申請公布號 | CN110676163B | 申請公布日 | 2022-02-08 |
| 分類號 | H01L21/304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 黃輝明;莊輝虎;羅騫;張杰;宋廣華 | 申請(專利權(quán))人 | 福建鉅能電力有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 351111福建省莆田市涵江區(qū)國歡東路655號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種異質(zhì)結(jié)疊瓦太陽能電池的切片方法,包括如下步驟:在n型硅片一面沉積薄層本征非晶硅層及n型非晶硅層,另一面沉積薄層本征非晶硅層及p型非晶硅層,并在n型非晶硅層和p型非晶硅層上沉積導(dǎo)電膜層;在n型硅片n面與p面的四周及切割區(qū)域的導(dǎo)電膜層上印刷蝕刻膏;在印有蝕刻膏的n型硅片進(jìn)行烘烤,清洗去除n型硅片上印有蝕刻膏區(qū)域的非晶硅層和導(dǎo)電膜層;在n型硅片導(dǎo)電膜層上形成金屬柵線電極;在n型硅片切割區(qū)域用激光切割成若干均等的小片n型硅片。本發(fā)明采用印刷的方式在n型硅片的雙面邊緣及切割區(qū)域印刷蝕刻膏,將非晶硅層和導(dǎo)電膜層去除,提升異質(zhì)結(jié)疊瓦太陽能電池的性能和可靠性,工藝過程簡單,利于大規(guī)模自動(dòng)化生產(chǎn)。 |





