半導體元件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201780041851.2 申請日 -
公開（公告）號 CN109478586B 公開（公告）日 2022-06-21
申請公布號 CN109478586B 申請公布日 2022-06-21
分類號 H01L33/40;H01L33/62;H01L33/58;H01L33/22;H01L33/00;H01L33/36;H01L33/02 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 洪恩珠 申請（專利權(quán)）人 蘇州立琻半導體有限公司
代理機構(gòu) 蘇州錦尚知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 滕錦林
地址 215499 江蘇省蘇州市太倉市常勝北路168號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 實施例提供一種半導體元件，該半導體元件包括：襯底；以及半導體結(jié)構(gòu)，該半導體結(jié)構(gòu)被布置在襯底上，其中半導體結(jié)構(gòu)包括第一導電半導體層、第二導電半導體層、以及布置在第一導電半導體層和第二導電半導體層之間的光吸收層，并且光吸收層具有1.2至1.5的值作為其上表面的最大外周長度相對于其上表面的最大面積的比率。