半導(dǎo)體器件和包括半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體器件封裝

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201780039190.X 申請日 -
公開（公告）號 CN109417112B 公開（公告）日 2022-06-21
申請公布號 CN109417112B 申請公布日 2022-06-21
分類號 H01L33/02;H01L33/22;H01L33/36;H01L33/48;H01L33/14;H01L33/62 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 崔洛俊;金炳祚;吳炫智;洪埩熀 申請（專利權(quán)）人 蘇州立琻半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州錦尚知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 滕錦林
地址 215499 江蘇省蘇州市太倉市常勝北路168號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 實施例涉及半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體器件封裝和用于制造半導(dǎo)體器件的方法，該半導(dǎo)體器件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層、布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的有源層、以及布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和有源層之間或者布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層內(nèi)部的中間層，其中第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、中間層、有源層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層包括鋁，并且中間層包括具有比第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的鋁組分低的鋁組分的第一中間層。