半導(dǎo)體元件
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210201766.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(公告)號(hào) | CN114566579A | 公開(公告)日 | 2022-05-31 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114566579A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-05-31 |
| 分類號(hào) | H01L33/38(2010.01)I;H01L33/24(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 洪恩珠 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 蘇州立琻半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘇州錦尚知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | - |
| 地址 | 215499江蘇省蘇州市太倉市常勝北路168號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體元件,其包括:襯底;以及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)被布置在所述襯底上,其中,半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括:第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層;第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層;光吸收層,其被布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間;第一電極,其布置在至少一個(gè)接觸孔中,該至少一個(gè)接觸孔通過穿過第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和光吸收層來暴露第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層,并且第一電極連接到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層;以及第二電極,其被連接到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層。光吸收層可以具有圍繞至少一個(gè)接觸孔的平面形狀。 |





