半導(dǎo)體器件和包括該半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體器件封裝
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202210379245.4 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114725267A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-07-08 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114725267A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-08 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L33/44（2010.01）I;H01L33/46（2010.01）I;H01L33/38（2010.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 成演準(zhǔn);姜基晩;金珉成;樸修益;李容京;李恩得;林顯修 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 蘇州立琻半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘇州錦尚知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 215499江蘇省蘇州市太倉(cāng)市常勝北路168號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 在一個(gè)實(shí)施例中公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件和包括該半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體器件封裝。一種半導(dǎo)體器件，其包括：發(fā)光結(jié)構(gòu)，包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層、和設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間的有源層；第一電極，電耦接到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；第二電極，電耦接到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；反射層，設(shè)置在第二電極上；以及覆蓋層，設(shè)置在反射層上并包括多個(gè)層，其中，覆蓋層包括設(shè)置在反射層上的第一層，并且第一層包括Ti；覆蓋層還包括中間層，設(shè)置在第一層上并包括多個(gè)層，中間層包括第一中間層，直接設(shè)置在第一層上并包括Ni，并且第一層與第一中間層的厚度比在1：1至3：1的范圍內(nèi)。 |
