半導(dǎo)體器件
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201780044849.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)(公告)號(hào) | CN109564956B | 公開(kāi)(公告)日 | 2022-06-21 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN109564956B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-06-21 |
| 分類號(hào) | H01L33/00;H01L33/38;H01L33/10;H01L33/22;H01L33/36;H01L33/02 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 樸修益 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 蘇州立琻半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘇州錦尚知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 滕錦林 |
| 地址 | 215499 江蘇省蘇州市太倉(cāng)市常勝北路168號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 一個(gè)實(shí)施例公開(kāi)一種半導(dǎo)體器件,包括:半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間布置的有源層并且包括多個(gè)第一凹部和第二凹部,多個(gè)第一凹部被布置為通過(guò)穿透第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和有源層直到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的部分區(qū)域,第二凹部被布置在多個(gè)第一凹部之間;多個(gè)第一電極,其被布置在多個(gè)第一凹部?jī)?nèi),并且與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層電連接;多個(gè)第二電極,其被電連接到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層;以及反射層,其被布置在第二凹部?jī)?nèi),其中多個(gè)第一凹部的面積和第二凹部的面積之和為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一方向中的最大面積的60%或更小,多個(gè)第一凹部的面積和第二凹部的面積是在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的下表面上形成的面積,并且第一方向垂直于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的厚度方向。 |





