半導(dǎo)體激光器單片式宏通道熱沉
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201520757400.7 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN205016831U | 公開(公告)日 | 2016-02-03 |
| 申請公布號 | CN205016831U | 申請公布日 | 2016-02-03 |
| 分類號 | H01S5/024(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 崔衛(wèi)軍 | 申請(專利權(quán))人 | 北京弘光浩宇科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京同輝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 北京弘光浩宇科技有限公司 |
| 地址 | 100096 北京市海淀區(qū)清河西三旗東路4幢平房 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種半導(dǎo)體激光器單片式宏通道熱沉,包括熱沉主體,芯片安裝區(qū)位于熱沉主體的一端,水冷區(qū)位于靠近芯片安裝區(qū)的位置,還包括上下貫通熱沉主體的銷孔,且所述銷孔位于遠(yuǎn)離芯片安裝區(qū)的一端。與現(xiàn)有技術(shù)相比,該半導(dǎo)體激光器單片式宏通道熱沉結(jié)構(gòu)更加緊湊合理,且散熱效果也不會受到影響。 |





