結(jié)終端結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811557431.2 申請日 -
公開（公告）號 CN111341832A 公開（公告）日 2020-06-26
申請公布號 CN111341832A 申請公布日 2020-06-26
分類號 H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 李巍;路鵬;張新;鐘圣榮;鄧小社 申請（專利權(quán)）人 無錫華潤華晶微電子有限公司
代理機構(gòu) 北京博思佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 無錫華潤華晶微電子有限公司
地址 214135江蘇省無錫市太湖國際科技園菱湖大道180號-22
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┮环N結(jié)終端結(jié)構(gòu)及其制備方法。所述結(jié)終端結(jié)構(gòu)包括原胞區(qū)、位于所述原胞區(qū)外周的終端區(qū)以及位于所述終端區(qū)外周的截止區(qū)；所述結(jié)終端結(jié)構(gòu)包括：具有第一導(dǎo)電類型的襯底、形成于所述襯底之上的具有第一導(dǎo)電類型的外延層、形成于所述終端區(qū)的所述外延層中的環(huán)形槽及填充在所述環(huán)形槽中的氧化層、形成于所述終端區(qū)的所述外延層中的具有第二導(dǎo)電類型的場限環(huán)、形成于所述截止區(qū)的所述外延層中的具有第一導(dǎo)電類型的注入?yún)^(qū)、形成于所述原胞區(qū)的所述外延層中的具有第二導(dǎo)電類型的源區(qū)及形成于所述源區(qū)中的具有第一導(dǎo)電類型的體區(qū)。??