一種超結(jié)MOS器件
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110428258.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113224164A | 公開（公告）日 | 2021-08-06 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113224164A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-06 |
| 分類號(hào) | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 任敏;李長(zhǎng)澤;馬榮耀;張新;鄭芳;張雪璠;李澤宏;張波 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 無錫華潤(rùn)華晶微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都點(diǎn)睛專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 敖歡 |
| 地址 | 611731四川省成都市高新區(qū)（西區(qū)）西源大道2006號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種超結(jié)MOS器件，從下至上依次包括漏極金屬層、重?fù)诫s第二類導(dǎo)電類型半導(dǎo)體漏區(qū)、中等摻雜第二類導(dǎo)電類型半導(dǎo)體緩沖層、輕摻雜第二類導(dǎo)電類型半導(dǎo)體柱區(qū)、中等摻雜第二類導(dǎo)電類型半導(dǎo)體JFET區(qū)、源極金屬層；本發(fā)明在超結(jié)VDMOS器件的基礎(chǔ)上，將部分漏極金屬層挖槽填充穿過中等摻雜第二類導(dǎo)電類型半導(dǎo)體緩沖層與重?fù)诫s第一類導(dǎo)電類型島區(qū)接觸，重?fù)诫s第一類導(dǎo)電類型島區(qū)之間為輕摻雜第二類導(dǎo)電類型半導(dǎo)體間隙區(qū)。反向恢復(fù)電流下降階段由于有空穴的注入，中等摻雜第二類導(dǎo)電類型半導(dǎo)體緩沖層空穴下降速度減慢，反向恢復(fù)電流得以平滑衰減，從而降低反向恢復(fù)的硬度。 |
