一種亞閾值電壓基準(zhǔn)電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011518921.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN112650351A 公開(kāi)(公告)日 2021-04-13
申請(qǐng)公布號(hào) CN112650351A 申請(qǐng)公布日 2021-04-13
分類號(hào) G05F1/625 分類 控制;調(diào)節(jié);
發(fā)明人 胡曉宇;袁甲;于增輝;凌康 申請(qǐng)(專利權(quán))人 北京中科芯蕊科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京高沃律師事務(wù)所 代理人 王愛(ài)濤
地址 100092 北京市海淀區(qū)豐豪東路9號(hào)院2號(hào)樓4層4單元403-1
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種亞閾值電壓基準(zhǔn)電路,包括:3T亞閾值基準(zhǔn)電壓電路和自偏置襯底調(diào)制NMOS電路,3T亞閾值基準(zhǔn)電壓電路包括本征NMOS管和與本征NMOS管連接的自偏置共源共柵電路;本征NMOS管和電源電壓連接;自偏置共源共柵電路和本征NMOS管均與自偏置襯底調(diào)制NMOS電路連接;自偏置襯底調(diào)制NMOS電路接地。該亞閾值電壓基準(zhǔn)電路通過(guò)增加自偏置襯底調(diào)制NMOS電路和將傳統(tǒng)的2T亞閾值基準(zhǔn)電壓電路中自偏置NMOS管改為自偏共源共柵電路的方式來(lái)減小輸出參考電壓受溫度的影響,同時(shí)降低電路的功耗。