一種SRAM單元的讀寫操作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911362551.1 申請日 -
公開（公告）號 CN111091856A 公開（公告）日 2020-05-01
申請公布號 CN111091856A 申請公布日 2020-05-01
分類號 G11C11/419;G11C11/412 分類 信息存儲;
發(fā)明人 吳浩 申請（專利權(quán)）人 蘇州騰芯微電子有限公司
代理機構(gòu) 江陰義海知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 宋俊華
地址 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)星湖街328號創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園4-A405單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種SRAM單元的讀寫操作方法，在對數(shù)據(jù)鎖存器進行寫操作時，可降低一側(cè)上拉PMOS管的驅(qū)動能力，更利于寫操作的完成。