寫(xiě)操作不需要位線輔助的SRAM單元讀寫(xiě)操作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911362552.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111081298A 公開(kāi)（公告）日 2020-04-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN111081298A 申請(qǐng)公布日 2020-04-28
分類(lèi)號(hào) G11C11/419 分類(lèi) 信息存儲(chǔ);
發(fā)明人 吳浩 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 蘇州騰芯微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 江陰義海知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 宋俊華
地址 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)星湖街328號(hào)創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園4-A405單元
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種寫(xiě)操作不需要位線輔助的SRAM單元讀寫(xiě)操作方法，對(duì)數(shù)據(jù)鎖存器寫(xiě)0時(shí)，第一字線控制第一傳輸管導(dǎo)通，第二字線控制第二傳輸管關(guān)斷，第三字線控制第三傳輸管導(dǎo)通；對(duì)數(shù)據(jù)鎖存器寫(xiě)1時(shí)，第一字線控制第一傳輸管關(guān)斷，第二字線控制第二傳輸管導(dǎo)通，第三字線控制第三傳輸管導(dǎo)通；讀取數(shù)據(jù)鎖存器中的數(shù)據(jù)時(shí)，第一字線控制第一傳輸管關(guān)斷，第二字線控制第二傳輸管關(guān)斷，第三字線控制第四傳輸管導(dǎo)通，且位線初始設(shè)置為高電平。本發(fā)明對(duì)數(shù)據(jù)鎖存器進(jìn)行寫(xiě)操作時(shí)，可不需要位線的輔助。