一種耐高溫抗中子輻照型聚酰亞胺復(fù)合薄膜及其制備方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201610543787.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)(公告)號(hào) | CN106189227B | 公開(kāi)(公告)日 | 2019-02-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN106189227B | 申請(qǐng)公布日 | 2019-02-26 |
| 分類(lèi)號(hào) | C08L79/08;C08K9/10;C08K3/38;C08K3/02;C08G73/10;C08J5/18 | 分類(lèi) | 有機(jī)高分子化合物;其制備或化學(xué)加工;以其為基料的組合物; |
| 發(fā)明人 | 李曉敏;梅軍;黃渝鴻;唐昶宇;袁萍;陳四龍;姚曾 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 成都正威新材料研發(fā)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 四川力久律師事務(wù)所 | 代理人 | 王蕓;韓洋 |
| 地址 | 610200 四川省成都市雙流縣銀河路596號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種含硼聚酰亞胺,它含有0.001~50wt%的硼元素;所述的硼元素以:?jiǎn)钨|(zhì)硼、碳化硼、氮化硼中的一種或幾種的形式存在于聚酰亞胺薄膜中;所述的硼元素是含硼粉體,粉末均勻分散到聚酰亞胺當(dāng)中;所述的含硼粉體為微米級(jí)粉體、納米級(jí)粉體或微米納米級(jí)配型粉體。本發(fā)明還提供一種耐高溫抗中子輻照型含硼聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備方法。本發(fā)明通過(guò)對(duì)含硼功能粉體的表面改性、聚酰胺酸分子量控制、復(fù)合工藝控制及熱亞胺化工藝條件優(yōu)化等過(guò)程,制備出一系列耐高溫抗中子輻照的含硼聚酰亞胺復(fù)合薄膜。所制備的含硼聚酰亞胺復(fù)合薄膜具有較高的表面平整均一性,且耐折性?xún)?yōu)良,表現(xiàn)出優(yōu)異的綜合性能。 |





