一種提高電子束熔煉多晶硅效率的裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201821674964.4 申請日 -
公開（公告）號 CN209161503U 公開（公告）日 2019-07-26
申請公布號 CN209161503U 申請公布日 2019-07-26
分類號 C01B33/037（2006.01）I 分類 無機化學;
發(fā)明人 唐子凡; 張磊; 龐大宇; 肖承祥; 張思源 申請（專利權）人 青島藍光晶科新材料有限公司
代理機構 北京志霖恒遠知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 青島藍光晶科新材料有限公司
地址 266000 山東省青島市即墨市藍色硅谷核心區(qū)創(chuàng)業(yè)中心一期-海創(chuàng)中心3號樓A座4-401
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及太陽能級多晶硅制造領域，尤其涉及一種提高電子束熔煉多晶硅效率的裝置。本實用新型具有熔煉坩堝，熔煉坩堝的側壁和底板之間的連接角設有向內的傾斜面，傾斜角度為45°?60°，降低熔煉過程中邊緣位置凝固層的厚度，增強電子束的熔煉效果。本實用新型在裝置使用時通過控制電子束熔煉多晶硅過程中不同階段的電子束掃描模式，來提高電子束熔煉多晶硅的效率，縮短生產時間，降低生產能耗，提高生產效率。