二次量化的混合ADC
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201610116762.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(公告)號(hào) | CN105811985A | 公開(公告)日 | 2016-07-27 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN105811985A | 申請(qǐng)公布日 | 2016-07-27 |
| 分類號(hào) | H03M1/36(2006.01)I;H03M1/14(2006.01)I | 分類 | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 包應(yīng)江 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 武漢眾為信息技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 430205 湖北省武漢市東湖高新技術(shù)開發(fā)區(qū)佛祖嶺街竹林小路9號(hào)金能產(chǎn)業(yè)園3棟3樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種二次量化的混合ADC,包括全并行Flash結(jié)構(gòu)1,用于轉(zhuǎn)換高位碼,通過電阻形式的比較避免大電容的產(chǎn)生;余量放大器2,用于將高位轉(zhuǎn)換后的余量按一定倍數(shù)進(jìn)行放大,減小環(huán)境噪聲對(duì)余量的影響,并傳輸給下一級(jí);左端SAR電容陣列3,用于轉(zhuǎn)換低位碼中的較高位,其中包含充電速度較慢的大電容;右端SAR電容陣列4,用來轉(zhuǎn)換低位碼中的較低位,其中包含充電速度較快的小電容;SAR邏輯電路5,用于進(jìn)行SAR邏輯比較,并控制電容陣列中基準(zhǔn)電壓的變化;控制邏輯電路6,用于控制整個(gè)電路中的信號(hào)傳輸及各模塊工作狀態(tài)。 |





