混合型CMOS圖像傳感器及其制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201110434532.2 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN102522414A 公開(kāi)（公告）日 2012-06-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN102522414A 申請(qǐng)公布日 2012-06-27
分類(lèi)號(hào) H01L27/146(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 苗田樂(lè);張俊超;陳杰;汪輝;方娜;田犁 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 重慶國(guó)科應(yīng)用技術(shù)研究所有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 上海中科高等研究院;中國(guó)科學(xué)院上海高等研究院;重慶國(guó)科應(yīng)用技術(shù)研究所有限公司
地址 201210 上海市浦東新區(qū)?？坡?9號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種混合型CMOS圖像傳感器及其制作方法，包括：圖像傳感器，形成于支撐襯底表面；所述支撐襯底的材料是半導(dǎo)體材料；所述圖像傳感器包括驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域和光學(xué)傳感區(qū)域；其特征在于：驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域的支撐襯底中具有頂層半導(dǎo)體層，所述頂層半導(dǎo)體層通過(guò)絕緣埋層與支撐襯底隔離；驅(qū)動(dòng)電路區(qū)域中的晶體管形成于所述頂層半導(dǎo)體層中；光學(xué)傳感區(qū)域中的支撐襯底中具有頂層光吸收層，所述頂層光吸收層通過(guò)絕緣埋層與支撐襯底隔離；光學(xué)傳感區(qū)域中的光學(xué)傳感器形成于所述頂層光吸收層中。本發(fā)明可以大大提高光的吸收效率，并防止由于宇宙射線照射產(chǎn)生的大量的電子空穴對(duì)CMOS圖像傳感器的感光區(qū)域以及驅(qū)動(dòng)電路造成的器件失效或者質(zhì)量下降等影響。