一種帶副室結(jié)構(gòu)的泡生法晶體生長爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110061052.6 申請日 -
公開（公告）號 CN102677158A 公開（公告）日 2012-09-19
申請公布號 CN102677158A 申請公布日 2012-09-19
分類號 C30B17/00(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 廖永建;徐煒;沈禹;孫礦 申請（專利權(quán)）人 上海晨安電爐制造有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 201804 上海市嘉定區(qū)黃渡工業(yè)園區(qū)春濃路278號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種帶副室結(jié)構(gòu)的泡生法晶體生長爐，屬于晶體生長設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明所提供的泡生法晶體生長爐在主室和提拉旋轉(zhuǎn)裝置間設(shè)置副室，通過真空閥門的切換，主室與副室可連通或成為獨立腔體，在副室內(nèi)可進行籽晶安裝、二次加料等操作?？稍诰w生長過程尤其是晶體生長早期出現(xiàn)各種異常情況如籽晶碎裂、籽晶長度不足、熔體表面有雜質(zhì)漂浮物、接種效果不良、初期晶體碎裂或其它不理想狀況時，在主室處于高溫狀態(tài)下即可進行及時處理，無需像常規(guī)泡生法晶體生長爐需要高溫停爐處理，不僅有效節(jié)省了時間和能耗，還有效避免了高溫反復沖擊對熱場結(jié)構(gòu)與坩堝的損傷，提高了熱場的穩(wěn)定性和重復性，大大節(jié)省了生產(chǎn)成本，有效地提高了成品率。