一種熱場可調(diào)的泡生法晶體生長爐

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201110061061.5 申請日 -
公開（公告）號 CN102677168A 公開（公告）日 2012-09-19
申請公布號 CN102677168A 申請公布日 2012-09-19
分類號 C30B29/20(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 廖永建;徐煒;沈禹;孫礦 申請（專利權）人 上海晨安電爐制造有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 201804 上海市嘉定區(qū)黃渡工業(yè)園區(qū)春濃路278號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種熱場可調(diào)的泡生法晶體生長爐，屬于晶體生長設備技術領域。本發(fā)明通過將上保溫層連接到上保溫層升降裝置，借助升降裝置可調(diào)整上保溫層的位置，從而調(diào)整坩堝及物料所處的散熱邊界條件，進而對熱場進行及時有效的調(diào)節(jié)。此外，結合冷卻水量調(diào)節(jié)，籽晶桿提拉與旋轉，降溫等手段，系統(tǒng)調(diào)控熱場的能力大大加強，可針對晶體生長不同階段對熱場的不同需求，不同設備、同一設備不同爐次以及同爐次不同工藝過程間的差異以及其它諸如投料量、環(huán)境條件等發(fā)生改變的情況作出靈活有效的調(diào)整，可大大提高晶體質(zhì)量和成品率，同時，有效地提高了工藝的穩(wěn)定性及重復性，特別適合大尺寸藍寶石晶體產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。