一種CIGS基薄膜太陽能電池及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510540824.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN105244394B 公開（公告）日 2017-12-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN105244394B 申請(qǐng)公布日 2017-12-08
分類號(hào) H01L31/0392(2006.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/065(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李藝明;鄧國云 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門神科太陽能有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廈門市首創(chuàng)君合專利事務(wù)所有限公司 代理人 張松亭;游學(xué)明
地址 361000 福建省廈門市火炬高新區(qū)創(chuàng)業(yè)園偉業(yè)樓南樓S102A室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種CIGS基薄膜太陽能電池及其制備方法，包括：襯底，在襯底上形成背電極層，在背電極層上形成一層合金膜層，在合金膜層上形成p型光吸收層，在p型光吸收層上形成緩沖層，在緩沖層上形成透明導(dǎo)電層。所述合金膜層由銀、鉑、鉻和鎵中的至少一種元素與銻元素組成。在背電極層上形成一層上述合金膜層可以提高p型光吸收層的結(jié)晶顆粒的尺寸，提高短路電流，同時(shí)減少背電極層受硫族元素的腐蝕，從而提高薄膜太陽能電池的性能，降低制造成本。