一種濺射靶材及用該濺射靶材制作的CIGS基薄膜太陽能電池

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510711517.6 申請日 -
公開（公告）號 CN105355681B 公開（公告）日 2017-09-08
申請公布號 CN105355681B 申請公布日 2017-09-08
分類號 H01L31/032(2006.01)I;H01L31/0749(2012.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李藝明;鄧國云 申請（專利權(quán)）人 廈門神科太陽能有限公司
代理機構(gòu) 廈門市首創(chuàng)君合專利事務(wù)所有限公司 代理人 張松亭;游學(xué)明
地址 361000 福建省廈門市火炬高新區(qū)創(chuàng)業(yè)園偉業(yè)樓南樓S102A室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種濺射靶材及用該濺射靶材制作的CIGS基薄膜太陽能電池，通過在硒化鋅材料中摻入一定量的B、Al、Ga、In元素來制作硒化鋅濺射靶材，并用該硒化鋅濺射靶來制作無鎘的薄膜太陽能電池，本發(fā)明的硒化鋅濺射靶材可使用DC濺射沉積或AC濺射沉積，可避免使用復(fù)雜的RF濺射設(shè)備沉積硒化鋅膜層，可降低薄膜電池的制造成本。