太陽能級單晶硅片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201220414957.7 申請日 -
公開（公告）號 CN202758897U 公開（公告）日 2013-02-27
申請公布號 CN202758897U 申請公布日 2013-02-27
分類號 H01L31/0352(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 夏學軍 申請（專利權(quán)）人 云南三奇光電科技有限公司
代理機構(gòu) 北京聯(lián)瑞聯(lián)豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 云南三奇光電科技有限公司
地址 675800 云南省臨滄市云縣愛華鎮(zhèn)舊村祥臨二級路下側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種太陽能級單晶硅片，其包括硅片本體，該硅片本體采用單晶硅制作而成，所述硅片本體為平行四邊形結(jié)構(gòu)，該硅片本體的厚度為100um～200um。本實用新型的太陽能級單晶硅片，其針對于不規(guī)則硅棒體，采用平行四邊形結(jié)構(gòu)設置，進行因形而取材，可以避免回爐，減少損耗。