一種高純度硅片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201220414958.1 申請日 -
公開（公告）號 CN202786508U 公開（公告）日 2013-03-13
申請公布號 CN202786508U 申請公布日 2013-03-13
分類號 C30B29/06(2006.01)I;H01L21/18(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 夏學(xué)軍 申請（專利權(quán)）人 云南三奇光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京聯(lián)瑞聯(lián)豐知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 云南三奇光電科技有限公司
地址 675800 云南省臨滄市云縣愛華鎮(zhèn)舊村祥臨二級路下側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及晶態(tài)硅技術(shù)領(lǐng)域，具體公開了一種高純度硅片，其包括硅片本體，所述硅片本體為單晶硅片或多晶硅片，該硅片本體為四個(gè)頂角均為直角的長方形結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型的高純度硅片，其采用長方形的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，且長方形的四個(gè)頂角均采用直角設(shè)置，不僅可以避免正方形設(shè)置浪費(fèi)硅片的缺點(diǎn)，且可以對硅棒體進(jìn)行更多的利用，減少損耗，可以在一定程度上降低生產(chǎn)成本。