一種等離子體浸沒(méi)離子注入系統(tǒng)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210533994.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103866394B 公開(kāi)（公告）日 2016-08-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN103866394B 申請(qǐng)公布日 2016-08-17
分類號(hào) C30B31/22(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 趙麗莉;鄒志超;竇偉;李超波 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇中科九微科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 代理人 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;中科九微科技有限公司
地址 100029 北京市朝陽(yáng)區(qū)北土城西路3號(hào)中科院微電子所
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種等離子體浸沒(méi)離子注入系統(tǒng)，包括：離子注入腔室、進(jìn)氣口、出氣口、基片臺(tái)、射頻電源、脈沖電源；其中，所述等離子體浸沒(méi)離子注入系統(tǒng)還包括：注入源，所述注入源與所述進(jìn)氣口連接，用于給所述離子注入腔室注入金屬氣體源；加熱裝置，所述加熱裝置與所述注入源連接，所述加熱裝置用于將所述注入源中的單質(zhì)金屬氣化，本發(fā)明通過(guò)利用金屬或者金屬氧化物在不同溫度下的飽和蒸汽壓不同的特性，將注入源中的單質(zhì)金屬氣化成單質(zhì)金屬氣體，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)了有效產(chǎn)生金屬等離子體，具有離子注入品質(zhì)高的技術(shù)效果。