檢測晶片基底二維形貌的裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410692862.5 申請日 -
公開（公告）號 CN105698705B 公開（公告）日 2018-03-30
申請公布號 CN105698705B 申請公布日 2018-03-30
分類號 G01B11/245 分類 測量；測試;
發(fā)明人 劉健鵬;馬鐵中;黃文勇;張立芳 申請（專利權(quán)）人 北京智朗芯光科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京華沛德權(quán)律師事務(wù)所 代理人 劉杰
地址 102206 北京市昌平區(qū)昌平路97號新元科技園B座503室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供的檢測晶片基底二維形貌的裝置，屬于半導(dǎo)體材料無損檢測技術(shù)領(lǐng)域。該檢測晶片基底二維形貌的裝置包括具有與N束激光一一對應(yīng)N個第一分光片和與N束激光一一對應(yīng)的N個第二分光片，N個第一分光片和N個第二分光片上分別設(shè)有鍍膜區(qū)域，鍍膜區(qū)域使各分光片形成不同的反射率和透過率，從而通過第一分光片和第二分光片可以入射到樣品上后返回的N束光分成兩個方向，分別進(jìn)行探測，鍍膜區(qū)域反射和透射的性質(zhì)則根據(jù)個第一種反射光束的傳播方向決定，而通過在分光片的不同區(qū)域鍍不同性質(zhì)的鍍膜滿足檢測晶片基底二維形貌的裝置對光路傳播的要求，由于鍍膜精度極高，因此，能夠保證不同傳播方向PSD接收到的光的一致性。