半導體結構及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110800426.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113540094A 公開（公告）日 2021-10-22
申請公布號 CN113540094A 申請公布日 2021-10-22
分類號 H01L27/108（2006.01）I;H01L21/8242（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 華文宇;劉藩東;張幟 申請（專利權）人 芯盟科技有限公司
代理機構 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 徐文欣
地址 314400浙江省嘉興市海寧市海寧經(jīng)濟開發(fā)區(qū)隆興路118號內主辦公樓2129室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導體結構及其形成方法，其中方法包括：在所述第一凹槽內形成字線柵極結構；在所述第一面上形成若干位線，所述位線平行于第三方向，且沿第一方向排布，各條所述位線與若干有源區(qū)電連接；自所述第二面對所述襯底進行減薄處理，直到暴露出所述第一隔離層表面；所述減薄處理后，在所述各有源區(qū)內形成若干第二隔離層，所述第二隔離層自所述第二面向所述第一面延伸，所述第二隔離層位于相鄰的所述字線柵極結構之間，且所述第二隔離層在沿所述第一方向上貫穿若干有源區(qū)；形成所述第二隔離層后，在所述第二面上形成若干電容，每個所述有源區(qū)與若干電容電連接，所形成的半導體結構，單位存儲單元占據(jù)的面積較小，提高了芯片的集成化水平。