一種異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201810586049.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN108598267B | 公開（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN108598267B | 申請(qǐng)公布日 | 2021-09-24 |
| 分類號(hào) | H01L51/42;H01L51/48 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張軍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 蘇州寶瀾環(huán)?？萍加邢薰?/a> |
| 代理機(jī)構(gòu) | 重慶創(chuàng)新專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 李智祥 |
| 地址 | 213000 江蘇省常州市新北區(qū)天山路28號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種新型異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池及其制備方法，在該新型異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的制備過程中，通過設(shè)置氮化硅阻擋層并在含氧氣氛中進(jìn)行熱處理，使得n型單晶硅片中的第二區(qū)的表面的摻雜濃度低于n型單晶硅片內(nèi)部的摻雜濃度，且通過優(yōu)化第一區(qū)中的多個(gè)圓形區(qū)域的具體尺寸與間距，進(jìn)而有效調(diào)節(jié)第一區(qū)的面積與第二區(qū)的面積的比值，進(jìn)而改善n型單晶硅片與Spiro?OMeTAD層之間的肖特基接觸勢(shì)壘，進(jìn)而提高該新型異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的開路電壓和填充因子。 |
