初凝多晶硅定向生長鑄錠的鑄造裝置及其制作方法和應用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010171200.5 申請日 -
公開（公告）號 CN101845665A 公開（公告）日 2010-09-29
申請公布號 CN101845665A 申請公布日 2010-09-29
分類號 C30B29/06(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I;B22D27/04(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 高文秀;葉升平;郝禮;肖小峰 申請（專利權）人 南陽迅天宇硅品有限公司
代理機構 華中科技大學專利中心 代理人 南陽迅天宇硅品有限公司;華中科技大學
地址 473200 河南省南陽市方城縣二朗廟后林村
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種初凝多晶硅定向生長鑄錠的鑄造工藝方法和所用裝置，屬于鑄造技術領域。結合V法鑄造鑄型在傳統(tǒng)鑄造中保溫效果最好的特點，該工藝使用V法鑄型進行多晶硅的鑄造生產(chǎn)。本發(fā)明裝置分為上鑄型1、下鑄型2和冷卻系統(tǒng)3共三部分。鑄型內(nèi)除有硅液腔6外，還留有一單獨的預熱金屬液腔8。預熱金屬液腔8縱截面為上大下小的梯形，呈環(huán)狀圍繞于硅液腔6周圍偏上部位。本發(fā)明的基本思路是在整個鑄型下端通冷卻水冷卻，鑄錠四周及上部使用硅液腔保溫層7進行保溫，并在鑄型金屬液腔內(nèi)澆注金屬液預熱整個鑄型，使鑄型達到較高的溫度，并形成一自上而下的初始溫度梯度，利于硅的定向生長。初凝硅錠有較多的厘米級柱狀晶，有效排除雜質(zhì)。