一種P型單晶硅電池及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811028195.5 申請日 -
公開（公告）號 CN109216480B 公開（公告）日 2019-11-29
申請公布號 CN109216480B 申請公布日 2019-11-29
分類號 H01L31/0236;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 管先炳 申請（專利權）人 蘇州錢正信息科技有限公司
代理機構 北京華仁聯(lián)合知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 蘇州元聯(lián)科技創(chuàng)業(yè)園管理有限公司
地址 215131 江蘇省蘇州市相城區(qū)元和街道嘉元路959號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種P型單晶硅電池及其制造方法，該制造方法包括以下步驟：在所述P型單晶硅片的上下表面形成多個平行排列的對應的第一條形溝槽和第二條形溝槽，所述第一條形溝槽的深度與所述P型單晶硅片的厚度的比值為0.6?0.8，所述第二條形溝槽的深度與所述P型單晶硅片的厚度的比值為0.5?0.7，所述第一條形溝槽與相鄰的所述第二條形溝槽之間單晶硅層的厚度為25?35微米；接著形成N型磷擴散層、N型重摻雜磷擴散區(qū)以及P型重摻雜硼擴散區(qū)；接著在所述P型單晶硅片的上下表面分別形成鈍化層和電極。本發(fā)明的P型單晶硅電池具有優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換效率。