一種提高霍爾器件抗靜電擊穿能力的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN02116447.9 申請日 -
公開（公告）號 CN100414733C 公開（公告）日 2008-08-27
申請公布號 CN100414733C 申請公布日 2008-08-27
分類號 H01L43/06(2006.01);H01L43/14(2006.01) 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭一陽;韓海;景士平;梁平 申請（專利權(quán)）人 北京華源科半光電子科技有限責任公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 100083北京市海淀區(qū)清華東路肖莊林業(yè)大學院內(nèi)中科院半導體所
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種抗靜電脈沖電壓的離子注入型砷化鎵霍爾器件的制備工藝方法，采用特別的電極圖形，使在金屬電極與有源區(qū)接觸的界面區(qū)域，形成一個寬度為10μm的過渡區(qū)，有源器件在該過渡區(qū)域的寬度逐漸改變，從而避免區(qū)域容易發(fā)生擊穿的缺陷，大大提高了器件的可靠性。