垂直型邏輯器件及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111233456.9 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113972283A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-01-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113972283A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-01-25 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L29/78（2006.01）I;H01L23/48（2006.01）I;H01L21/768（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉金營(yíng) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 上海積塔半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海光華專(zhuān)利事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 盧炳瓊 |
| 地址 | 201306上海市浦東新區(qū)中國(guó)（上海）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)臨港新片區(qū)云水路600號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種垂直型邏輯器件及制備方法。器件包括半導(dǎo)體基底；第一電極、溝道層及第二電極，依次堆疊于半導(dǎo)體基底上；第一導(dǎo)電硅化物層及第一金屬連線(xiàn)層，第一導(dǎo)電硅化物層位于半導(dǎo)體基底上，且與第一電極電接觸，第一金屬連線(xiàn)層位于第一導(dǎo)電硅化物的表面，且向第一電極的外側(cè)延伸；柵極結(jié)構(gòu)，位于溝道層的周向上，由內(nèi)至外依次包括柵絕緣層、柵介質(zhì)層及功函數(shù)金屬層；第二導(dǎo)電硅化物層及第二金屬連線(xiàn)層，依次位于第二電極的周向上，且與第二電極電接觸；絕緣層，覆蓋第一金屬連線(xiàn)層、功函數(shù)金屬層、第二導(dǎo)電硅化物層及第二金屬連線(xiàn)層。本發(fā)明創(chuàng)造性地采用水平金屬連接線(xiàn)設(shè)計(jì)以分別直接與多個(gè)器件的源、漏及柵連接，有助于提高器件性能。 |
