SICMOSFET器件的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111336567.2 申請日 -
公開（公告）號 CN114038757A 公開（公告）日 2022-02-11
申請公布號 CN114038757A 申請公布日 2022-02-11
分類號 H01L21/336（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 季益靜;吳賢勇;劉峰松 申請（專利權）人 上海積塔半導體有限公司
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 盧炳瓊
地址 201306上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)云水路600號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種SIC MOSFET器件的制備方法，包括步驟：提供SIC基底，于SIC基底上形成若干間隔設置的第一導電類型的阱區(qū)、第一導電類型的第一有源區(qū)和第二導電類型的第二有源區(qū)；于位于阱區(qū)之間的基底表面或基底內(nèi)形成柵氧化層、柵導電層，形成覆蓋柵導電層的柵介質(zhì)層；形成第一有源區(qū)金屬層和第二有源區(qū)金屬層；對第一有源區(qū)金屬層和第二有源區(qū)金屬層進行不同溫度的退火以分別形成第一歐姆接觸和第二歐姆接觸。本發(fā)明在制備SIC MOSET器件的過程中，對N型區(qū)金屬層和P型區(qū)金屬層退火時采取不同的退火溫度，使得N型和P型區(qū)各自可在不同的最優(yōu)退火溫度進行退火，從而使P型歐姆接觸區(qū)和N型歐姆接觸區(qū)均可得到最優(yōu)的接觸電阻率，有助于提高器件性能。