垂直型二維溝道邏輯器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111203319.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113948399A 公開（公告）日 2022-01-18
申請公布號 CN113948399A 申請公布日 2022-01-18
分類號 H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉金營 申請（專利權）人 上海積塔半導體有限公司
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 盧炳瓊
地址 201306上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿易試驗區(qū)臨港新片區(qū)云水路600號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種垂直型二維溝道邏輯器件及其制備方法。器件包括半導體基底、第一電極、二維溝道材料層、第二電極、柵極結構、絕緣材料層及補充電極材料層；第一電極、二維溝道材料層及第二電極均為環(huán)狀結構，依次堆疊形成開孔；柵極結構繞設于二維溝道材料層的周向上，由內至外依次包括柵氧化層、柵介質層及功函數金屬層；補充電極材料層填充于第二電極內側，且與第二電極鄰接；絕緣材料層填充于開孔內的剩余空間以及半導體基底和柵極結構之間的空間，且覆蓋補充電極材料層，其中，第一電極為源極且第二電極為漏極，或第一電極為漏極且第二電極為源極。本發(fā)明有助于降低表面載流子散射和柵界面態(tài)，提高對溝道的控制，降低器件關斷狀態(tài)時的漏電。