IGBT器件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111123433.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113851380A 公開（公告）日 2021-12-28
申請公布號 CN113851380A 申請公布日 2021-12-28
分類號 H01L21/331（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 曹功勛 申請（專利權(quán)）人 上海積塔半導體有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 羅泳文
地址 201306上海市浦東新區(qū)中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)云水路600號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種IGBT器件及其制作方法，IGBT器件包括：襯底，該襯底包括相對的第一主面及第二主面，第一主面形成有IGBT器件的正面結(jié)構(gòu)；第一氦離子缺陷層及第二氦離子缺陷層，第一氦離子缺陷層形成于有源區(qū)的第二主面內(nèi)，第二氦離子缺陷層形成于過渡區(qū)及終端區(qū)的第二主面內(nèi)，第一氦離子缺陷層的缺陷密度小于第二氦離子缺陷層的缺陷密度；集電極區(qū)，形成于襯底的第二主面；緩沖區(qū)，形成于襯底的第二主面內(nèi)。本發(fā)明通過控制過渡區(qū)和終端區(qū)背面的缺陷層中載流子壽命比有源區(qū)背面的缺陷層的載流子壽命更短，在保證較低的通態(tài)壓降及較低關(guān)斷損耗的同時也緩解IGBT關(guān)斷時過渡區(qū)電流集中問題。