一種蒸發(fā)源
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110321264.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(公告)號(hào) | CN113061848A | 公開(公告)日 | 2021-07-02 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113061848A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-02 |
| 分類號(hào) | C23C14/24 | 分類 | 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 張久杰;季淵 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 南京昀光科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京品源專利代理有限公司 | 代理人 | 孟金喆 |
| 地址 | 211100 江蘇省南京市江寧區(qū)梅林街18號(hào)(江寧開發(fā)區(qū)) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明實(shí)施例提供一種蒸發(fā)源,該蒸發(fā)源包括坩堝、加熱絲和多個(gè)半導(dǎo)體制冷片;所述加熱絲圍繞所述坩堝分布,多個(gè)所述半導(dǎo)體制冷片設(shè)置于所述加熱絲遠(yuǎn)離所述坩堝的一側(cè),且多個(gè)所述半導(dǎo)體制冷片沿環(huán)繞所述坩堝的方向依次排列;每一所述半導(dǎo)體制冷片包括冷端和熱端,所述冷端用于制冷,所述熱端用于制熱;所述半導(dǎo)體制冷片包括第一制冷片和第二制冷片,所述第一制冷片的冷端設(shè)置于鄰近所述坩堝的一側(cè),所述第二制冷片的熱端設(shè)置于鄰近所述坩堝的一側(cè)。本發(fā)明實(shí)施例提供的蒸發(fā)源,能夠提高蒸發(fā)源的升溫速率和降溫速率。 |





