半導(dǎo)體材料及其制備方法和應(yīng)用、激光器、光電探測(cè)器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010445691.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111584657A | 公開（公告）日 | 2020-08-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111584657A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-08-25 |
| 分類號(hào) | H01L31/0304(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 杜鵬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 湖南科萊特光電有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所（特殊普通合伙） | 代理人 | 湖南科萊特光電有限公司 |
| 地址 | 410000湖南省長(zhǎng)沙市雨花區(qū)振華路579號(hào)康庭園一期18號(hào)棟北側(cè)一層、二層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體而言，提供了一種半導(dǎo)體材料及其制備方法和應(yīng)用、激光器、光電探測(cè)器。所述半導(dǎo)體材料包括依次設(shè)置的硅襯底、第一GaAs緩沖層、GaSb緩沖層和InAs(Sb)/InxGa1?xAsySb1?y超晶格，其中0 |
