一種采用二相流霧化清洗晶圓表面污染物的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201611149366.0 申請日 -
公開（公告）號 CN106856161B 公開（公告）日 2019-12-13
申請公布號 CN106856161B 申請公布日 2019-12-13
分類號 H01L21/02（2006.01） 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 滕宇; 惠世鵬 申請（專利權(quán)）人 北方華創(chuàng)科技集團股份有限公司
代理機構(gòu) 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司
地址 100016 北京市朝陽區(qū)酒仙橋東路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種采用二相流霧化清洗晶圓表面污染物的方法，通過對清洗工藝的步驟過程和各個步驟所采用的工藝參數(shù)進行優(yōu)化，合理選定二相流霧化清洗晶圓表面顆粒污染物的工藝條件，明確清洗工藝窗口，實現(xiàn)對晶圓表面的有效清洗，在保證顆粒污染物高效去除效率的同時，對晶圓表面的圖形結(jié)構(gòu)不會造成損傷，從而獲得綜合的最優(yōu)化的清洗效果。