一種微同軸及其制備方法
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202111513290.6 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN114203629A | 公開(公告)日 | 2022-03-18 |
| 申請公布號 | CN114203629A | 申請公布日 | 2022-03-18 |
| 分類號 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 王志良;趙利芳;裘進;陸原;李佩笑;陳學志;張光瑞;張栓 | 申請(專利權)人 | 賽萊克斯微系統(tǒng)科技(北京)有限公司 |
| 代理機構 | 北京眾達德權知識產權代理有限公司 | 代理人 | 查薇 |
| 地址 | 100176北京市大興區(qū)北京經濟技術開發(fā)區(qū)科創(chuàng)十四街99號33幢D棟二層2208號(集中辦公區(qū)) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種微同軸及其制備方法,制備方法包括:在第一晶圓上制備第一導體部,并釋放光刻膠;在第二晶圓上制備凹槽結構的第二導體部和所述第二導體部內的內導體,并釋放光刻膠;將所述第一導體部和所述第二導體部焊接以對所述第二導體部上的凹槽進行封口形成微同軸的外導體;其中,所述內導體和所述外導體組成所述微同軸。本發(fā)明的微同軸制備方法將外導體分割為第一導體部和第二導體部,并分別制作在第一晶圓的第一端面和第二晶圓的第二端面上,第一導體部和第二導體部均未形成封閉結構,便于釋放第一晶圓和第二晶圓上的光刻膠,降低了制備微同軸過程中光刻膠的釋放難度。 |





