低信噪比下的硅單晶生長圖像的自適應隨機共振去噪方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810199562.1 申請日 -
公開（公告）號 CN108550116A 公開（公告）日 2018-09-18
申請公布號 CN108550116A 申請公布日 2018-09-18
分類號 G06T5/00;G06N3/00 分類 計算；推算；計數(shù);
發(fā)明人 焦尚彬;劉倩 申請（專利權）人 西安奕斯偉設備技術有限公司
代理機構 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 代理人 西安理工大學;西安奕斯偉設備技術有限公司
地址 710048 陜西省西安市金花南路5號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了低信噪比下的硅單晶生長圖像的自適應隨機共振去噪方法，針對低信噪比下的硅單晶生長圖像，將雙穩(wěn)態(tài)隨機共振與PSO尋優(yōu)算法相結合，設計了基于PSO的自適應隨機共振圖像去噪算法。本發(fā)明利用隨機共振具有無損檢測微弱信號的優(yōu)點，對低信噪比下的硅單晶生長圖像進行去噪增強，提高圖像的質量。利用PSO尋優(yōu)算法，將Donoho噪聲標準差作為尋優(yōu)算法的適應度函數(shù)，對隨機共振的系統(tǒng)參數(shù)進行實時調整以獲得最佳共振輸出效應，實現(xiàn)圖像去噪。經過該方法對低信噪比下的硅單晶生長圖像處理后，可有效去除噪聲，提高圖像的質量，進而使得低信噪比下的硅單晶圖像的彎月面能準確檢測，為晶體直徑的準確檢測奠定了基礎。