平面結(jié)構(gòu)溝道金氧半場效晶體管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201920963740.3 申請日 -
公開（公告）號 CN210224042U 公開（公告）日 2020-03-31
申請公布號 CN210224042U 申請公布日 2020-03-31
分類號 H01L29/78(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 潘繼;徐鵬 申請（專利權(quán)）人 無錫沃達科半導體技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 無錫市匯誠永信專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 王闖;葛莉華
地址 214000江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道200號中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園E2-401
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種平面結(jié)構(gòu)溝道金氧半場效晶體管。平面結(jié)構(gòu)溝道金氧半場效晶體管包括基體，基體自下而上分別包括第一基板和第二基板，第一基板為P型晶圓基板，第二基板經(jīng)過深N?阱工藝處理。第二基板的上表面形成有多個相互間隔的溝道，溝道中形成有柵極，溝道的相鄰兩側(cè)分別形成有源極和漏極，柵極、源極和漏極位于基體的同側(cè)。本實用新型中溝道型柵極和同側(cè)設(shè)置的柵極、源極和漏極結(jié)構(gòu)可以提高導通性能，減小單元間距，從而降低集成電源芯片的單位導通電阻，提高導通性能，并將同性能條件下的晶體管面積減小一半左右，同時便于在同一基體上集成多個晶體管結(jié)構(gòu)。??