新型共漏雙MOSFET結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910780080.X 申請日 -
公開（公告）號 CN110400802A 公開（公告）日 2019-11-01
申請公布號 CN110400802A 申請公布日 2019-11-01
分類號 H01L27/088（2006.01）I; H01L21/8234（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 潘繼; 徐鵬 申請（專利權(quán)）人 無錫沃達科半導體技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 無錫市匯誠永信專利代理事務所（普通合伙） 代理人 朱曉林
地址 214000 江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道200號中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園E2-401
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了新型共漏雙MOSFET結(jié)構(gòu)及其形成方法，涉及模擬電路與數(shù)字電路的技術(shù)領域。新型共漏雙MOSFET結(jié)構(gòu)，通過相互靠近的FET1和FET2單元，使得電流在晶圓中都是在相鄰的FET1和FET2單元之間流動，這樣大大減小了電流在介質(zhì)中的傳輸距離，從而避免了電流在介質(zhì)中長距離的輸送導致的導通電阻，同時使得圓晶厚度與電流的傳輸距離的影響變小，進而使得圓晶無需做的很薄，從而降低了工藝難度，再者在不需要較大面積的FET1和FET2同時不需要晶圓背面的厚金屬，因此避免了成品的MOSFET在晶圓上受到應力影響，同時避免晶圓的翹曲。