一種分柵結(jié)構(gòu)的半浮柵晶體管及其制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111414300.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN114220741A | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-03-22 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114220741A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-03-22 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/336（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/788（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 晁鑫;王晨;陳琳;孫清清;張衛(wèi) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 復(fù)旦大學(xué) |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京得信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 孟海娟 |
| 地址 | 200433上海市楊浦區(qū)邯鄲路220號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)一種分柵結(jié)構(gòu)的半浮柵晶體管及其制備方法。該分柵結(jié)構(gòu)的半浮柵晶體管包括襯底，其形成有P阱區(qū)、N阱區(qū)和U型槽，其中，N阱區(qū)位于P阱區(qū)上方，U型槽貫穿N阱區(qū)；第一柵氧化層，形成在所述U型槽表面并延伸覆蓋部分所述N阱區(qū)表面，且在一側(cè)形成有窗口；半浮柵，覆蓋所述第一柵氧化層并完全填充所述U型槽，且在窗口處與N阱區(qū)相接觸；控制柵介質(zhì)層、控制柵和掩膜層，控制柵介質(zhì)層覆蓋所述半浮柵，控制柵和掩膜層依次形成在所述控制柵介質(zhì)層上；分離柵介質(zhì)層和分離柵，分離柵介質(zhì)層形成在N阱區(qū)表面并延伸覆蓋部分掩膜層表面，分離柵覆蓋分離柵介質(zhì)層并填充分離柵區(qū)域；源區(qū)和漏區(qū)，分別形成在所述控制柵和分離柵兩側(cè)，所述N阱區(qū)中。 |
