一種碳化硅MOSFET器件及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210155406.1 申請日 -
公開（公告）號 CN114496801A 公開（公告）日 2022-05-13
申請公布號 CN114496801A 申請公布日 2022-05-13
分類號 H01L21/336（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 羅佳敏;孫鶴 申請（專利權）人 杭州芯邁半導體技術有限公司
代理機構 上海光華專利事務所（普通合伙） 代理人 -
地址 310051浙江省杭州市濱江區(qū)西興街道聯(lián)慧街6號1-1201
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請實施例公開了一種碳化硅MOSFET器件的制造方法，包括在漏極上形成第一摻雜類型的襯底；在襯底上形成第一摻雜類型的漂移區(qū)；在漂移區(qū)上形成多個第二摻雜類型的體區(qū)；淀積/生長場氧化層，特別地，在A多晶柵極區(qū)有場氧化層遮擋；JFET注入，使得：鄰近A多晶柵極區(qū)的漂移區(qū)沒有JFET注入，而鄰近B多晶柵極區(qū)內(nèi)的漂移區(qū)有JFET注入；移除場氧化層，并進行：有源源蝕刻、柵極層生長、多晶硅沉積、多晶硅蝕刻；源CT和柵CT刻蝕，P+注入；金屬沉積和蝕刻；以及鈍化/聚酰亞胺沉積和蝕刻。本發(fā)明在不改變工藝步驟且不增加工藝流程的前提下，僅對JFET注入屏蔽做修改，在A多晶柵極區(qū)的場氧化層下方不做JFET注入。藉此，當MOS承受反向耐壓時A多晶柵極區(qū)下方JFET區(qū)更容易耗盡，不影響器件耐壓。