溝槽型功率器件的制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111648832.0 申請日 -
公開（公告）號 CN114429906A 公開（公告）日 2022-05-03
申請公布號 CN114429906A 申請公布日 2022-05-03
分類號 H01L21/336（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I;H01L21/266（2006.01）I;H01L29/78（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊嘯;陳輝;王加坤 申請（專利權(quán)）人 杭州芯邁半導體技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蔡純
地址 310051浙江省杭州市濱江區(qū)西興街道聯(lián)慧街6號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了溝槽型功率器件的制造方法。所述制造方法包括：在半導體襯底上形成漂移區(qū)；在所述漂移區(qū)中形成第一溝槽和第二溝槽；在所述第一溝槽中形成柵疊層；采用第一離子注入，在所述漂移區(qū)中形成P型的阱區(qū)和摻雜區(qū)；以及采用第二離子注入，在所述阱區(qū)中形成N型的源區(qū)，其中，所述第一離子注入形成摻雜劑濃度隨著深度逐漸減小的阱區(qū)，所述第二離子注入將所述阱區(qū)的上部反型以形成所述源區(qū)。該制造方法在公共的離子注入步驟中以自對準方式形成P型的阱區(qū)和摻雜區(qū)，不僅可以提高功率器件的性能，而且可以減少離子注入的工藝步驟和掩模數(shù)量，從而降低功率器件的制造成本。