功率半導體封裝結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111520330.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114203642A 公開（公告）日 2022-03-18
申請公布號 CN114203642A 申請公布日 2022-03-18
分類號 H01L23/10（2006.01）I;H01L23/14（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I;H01L21/50（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 梁小廣;丁烜明;洪旭;朱榮 申請（專利權）人 無錫利普思半導體有限公司
代理機構 上海段和段律師事務所 代理人 祁春倪
地址 214000江蘇省無錫市市轄區(qū)建筑西路599-1（1號樓）十七層1710、1711室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種功率半導體封裝結構，包括：pressfit端子、絕緣散熱基板、半導體芯片、綁定線、金屬底座、底板以及外殼；所述半導體芯片焊接在絕緣散熱基座上，所述金屬底座的一端焊接有金屬片，將金屬片焊接在絕緣散熱基板上，所述pressfit端子的一端安裝金屬底座中，所述pressfit端子的另一端延伸出外殼，所述綁定線用于連接各部件，所述絕緣散熱基板安裝于外殼和底板連接所形成的腔體內部，外殼內部注入絕緣填充介質。本功率半導體封裝結構強化了金屬底座與絕緣散熱底板的連接，防止因為應用環(huán)境的振動帶來的底座脫落現(xiàn)象。