一種減少HVPE外延膜缺陷的鎵舟結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120436381.3 申請日 -
公開（公告）號 CN214361833U 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN214361833U 申請公布日 2021-10-08
分類號 C30B25/08（2006.01）I;C30B25/14（2006.01）I;C30B29/40（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 張林;魏曙亮 申請（專利權）人 鎵特半導體科技（銅陵）有限公司
代理機構 銅陵市嘉同知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 程玉霞
地址 244000安徽省銅陵市銅陵經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)天門山北道3139號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種減少HVPE外延膜缺陷的鎵舟結構，包括：殼體；上法蘭端，所述上法蘭端密封安裝于殼體的上端；進氣管，所述進氣管連通于上法蘭端的中央；第一進氣口和第二進氣口，所述第一進氣口和第二進氣口關于進氣管對稱開設于上法蘭端上；多層倉，所述多層倉固接于上法蘭端底部用于盛放金屬鎵，所述多層倉的底部具有收縮部，所述進氣管底部沿多層倉的軸向向下延伸并與收縮部形成同心的圓柱腔；載臺，所述載臺位于殼體內的多層倉下方；襯底，所述襯底置于載臺上且正對圓柱腔。本實用新型的有益效果是可以有效的減少鎵舟腐蝕，提高鎵舟的使用壽命，進而減少外延膜缺陷，提高外延膜質量。